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面向半導體產業鏈上游原材料生產企業、中游晶圓生產企業,采用獨立開發的光學明暗場檢測系統,對半導體原片、外延片、無圖形晶圓的外觀缺陷進行檢測。 檢測精度 7 μm...
面向半導體產業鏈中游晶圓生產企業、下游封裝測試企業,采用獨立開發的多通道明暗場并行檢測系統,對半導體有圖形晶圓、晶粒的外觀缺陷進行檢測。 檢測精度 3 μm.....
面向半導體產業鏈上游的原材料生產企業,采用獨立開發的光譜共焦測量系統,對半導體原片、外延片的尺寸和平面度進行檢測。 重復精度 ±0 . 1 μm....
?針對泛半導體和3C行業,應用于Si、GaN、SiC、玻璃以及表面鍍層材料的各類型標識,適用于8英寸及以上晶圓。 設備型號 HD S2113......
面向半導體行業,采用晶圓機械手配合外同軸視覺定位等技術,實現2-6英寸晶圓全自動激光標刻。 平均功率 5W/20W ......
本設備針對8英寸及以上芯片封測廠,應用于半導體行業硅基晶圓激光改質切割。 重復定位精度 ±1μm......
本設備針對8英寸及以上芯片封測廠,應用于半導體行業40nm及以下的low-k晶圓和硅基GaN等晶圓表面劃線或開槽加工。 重復定位精度 ±1μm ....
采用紫外皮秒激光器,針對硅和化合物半導體晶圓進行精密半切或全切。 切割線寬 ≤20±5μm(含HAZ) ......
采用納秒激光器,針對GPP晶圓等進行精密劃切。 切割頭 自研 重......
本設備主要為針對半導體、3C行業開發的切割設備。適用于硅、陶瓷、玻璃、SiC等材料的切割。具有切割速 度快、定位精度高的優勢。設備配有高精度CCD視覺系統,能夠...
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