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晶圓激光改質切割設備

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更新時間:2022-06-28 09:42:36瀏覽次數:489次

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本設備針對8英寸及以上芯片封測廠,應用于半導體行業硅基晶圓激光改質切割。 重復定位精度 ±1μm ......
產品優勢
  • 01
    加工質量高

    表面無損傷,無切縫,崩邊極小(≤2μm),邊沿蜿蜒小(<3μm)


  • 02
    加工效率高

    可采用多焦點改質模式,成倍提高切割效率


  • 03
    加工穩定性好

    激光器平均功率穩定性高(≤±3% over 24 hours),光束質量高(M2 <1.5) 


技術參數
內容主要技術參數
激光器參數中心波長定制紅外波長
加工頭自制準直頭
加工性能有效工作行程300×400mm(選配)
重復定位精度± 1 μm
視覺定位自動視覺定位
加工方式逐層改質、單點/多點加工方式
其他晶圓尺寸8 inch(可兼容12inch)
工藝流程激光改質切割— 擴膜
加工對象MEMS芯片 、硅基生物芯片 、硅麥芯片、CMOS芯片等 


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