- 01適用范圍廣
用于各種材質各種拋光狀態的4—8英寸原片、襯底及外延片
- 02測量精度高
厚度范圍:0—1mm 測量精度:士1μm 重復精度:0.2μm
- 03測量時間短
測量時間:30s/pcs(依據客戶檢測軌跡)
當前位置：武漢華工激光工程有限責任公司>>專用設備>>半導體行業專業設備>> 半導體晶圓厚度測量設備
用于各種材質各種拋光狀態的4—8英寸原片、襯底及外延片
厚度范圍:0—1mm 測量精度:士1μm 重復精度:0.2μm
測量時間:30s/pcs(依據客戶檢測軌跡)
| 項目 | 主要技術參數 | ||
| 常規參數 | Wafer尺寸 | 4" , 6" | |
| 料盒數量 | 雙層， 14 pcs | ||
| 上下料方式 | 機械手， Mapping掃描 | ||
| 運動平臺 | X行程150mm， Y行程150mm， | 重復精度 ±0 . 1 μm 重復精度 ±0 . 1 μm | |
| 產能 | 4" , 240WPH 6" , 220WPH | ||
| 檢測性能 | 檢測功能 | 晶圓（貼膜晶圓）厚度、TTV、翹曲度 | |
| 厚度測試精度 | ±0 .5 μm， 重復性： 0 . 1 μm（連續測試25片， 每片測試5點 ） | ||
| 厚度范圍 | ± 1 mm | ||
| TTV測試精度 | ±0 .5 um， 重復性： 0 .2 μm | ||
| 翹曲度測試精度 | ± 2 μm， 測試范圍： ± 600μm， 重復性： 1 μm | ||
| 使用環境 | 供電規格 | AC220V,50Hz | |
| 氣源要求 | 0.5-0.7Mpa壓縮空氣，無明顯水汽和油脂 | ||
| 設備重量 | 溫度15-40℃。濕度要求30%-70%，無凝霜 | ||
| 整機尺寸 | 1800mm*1300mm*2250mm | ||
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，機床商務網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
機床商務網