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武漢華工激光工程有限責任公司
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半導體晶圓缺陷檢測設備

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質生產(chǎn)商

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更新時間:2022-06-28 10:05:07瀏覽次數(shù):1388次

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產(chǎn)品優(yōu)勢
  • 01
    可適用多種尺寸

    本設備可適用于4—8英寸有圖形晶圓


  • 02
    可檢測多種缺陷

    檢測劃傷、背崩、色差、開裂、劃偏、金屬殘留、金屬缺失等缺陷


  • 03
    高精度分辨

    系統(tǒng)分辨率:0.2-0.8μm


  • 04
    檢測速度快

    有圖形晶圓:缺陷數(shù)量在200個以內的情況下,15分鐘/片


技術參數(shù)
項目主要技術參數(shù)
常規(guī)參數(shù)Wafer尺寸4" , 6"(帶藍膜鐵框 )
料盒數(shù)量2 pcs
上下料方式機械手,  Mapping掃描
運動平臺X行程200mm,重復精度10μm
Y行程45mm,重復精度10μm
Z行程15mm,重復精度5μm
產(chǎn)能4" , 25WPH    6" , 20WPH
檢測性能檢測精度3 μm
相機高分辨率工業(yè)相機
鏡頭顯微鏡頭
光源光源
缺陷標記自動打點
使用環(huán)境供電規(guī)格AC220V,   50Hz
氣源要求0 .5-0 .7Mpa壓縮空氣,  無明顯水汽和油脂
設備重量溫度15-40℃,  濕度要求30%-70%,  無凝霜
整機尺寸2000mm*1200mm*2250mm


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