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武漢華工激光工程有限責(zé)任公司
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半導(dǎo)體襯底缺陷檢測(cè)設(shè)備

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地

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更新時(shí)間:2022-06-28 10:07:43瀏覽次數(shù):662次

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面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料生產(chǎn)企業(yè)、中游晶圓生產(chǎn)企業(yè),采用獨(dú)立開發(fā)的光學(xué)明暗場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng),對(duì)半導(dǎo)體原片、外延片、無圖形晶圓的外觀缺陷進(jìn)行檢測(cè)。 檢測(cè)精度 7 μm ......
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
  • 01
    適用多種晶圓

    適用于4—8英寸原片、襯底、外延片及無圖形晶圓 


  • 02
    可檢測(cè)多種缺陷

    檢測(cè)顆粒、凹坑、凸起、劃傷、污點(diǎn)、裂紋等缺陷


  • 03
    分辨精度高

    系統(tǒng)分辨率:1-10μm 


  • 04
    檢測(cè)速度快

    無圖形晶圓:缺陷數(shù)量在200個(gè)以內(nèi)的情況下,180秒/片


技術(shù)參數(shù)
項(xiàng)目主要技術(shù)參數(shù)
常規(guī)參數(shù)Wafer尺寸標(biāo)配4" , 6"(可擴(kuò)展4"-8")
料盒數(shù)量雙層,  14 pcs
上下料方式機(jī)械手,  Mapping掃描
運(yùn)動(dòng)平臺(tái)Y行程 350mm,重復(fù)精度 10μm
Z行程 8mm,重復(fù)精度 5μm
產(chǎn)能4" , 140WPH     6" ,  120WPH
檢測(cè)性能檢測(cè)精度7 μm
相機(jī)高分辨率工業(yè)相機(jī)
鏡頭高清工業(yè)鏡頭
光源光源
使用環(huán)境供電規(guī)格AC220V,   50Hz
氣源要求0 .5-0 .7Mpa壓縮空氣,  無明顯水汽和油脂
設(shè)備重量溫度15-40℃,  濕度要求30%-70%,  無凝霜
整機(jī)尺寸1800mm*1300mm*2250mm


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