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硅基淺結(jié)/超淺結(jié)晶圓激光快速退火系統(tǒng)

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更新時間:2022-01-02 11:01:52瀏覽次數(shù):404

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產(chǎn)品簡介

晶圓獲得極淺的原始雜質(zhì)離子注入后,采用激光瞬間退火來激活雜質(zhì),并精確控制注入離子的峰值深度,保證注入雜質(zhì)不發(fā)生明顯的擴散再分布,獲得合格的超淺結(jié)源漏區(qū)。

詳細介紹

產(chǎn)品特點

< 50nm 結(jié)深控制

低至 10nm 以內(nèi)的峰值濃度深度控制

優(yōu)異的雜質(zhì)形貌分布和均勻性

WPH 高達 25

完整的全程監(jiān)控反饋功能


應(yīng)用產(chǎn)品類型

背照式圖像傳感器晶圓



技術(shù)指標(biāo)
項目LA2515
晶圓尺寸4/6、6/8 inch 兼容
激光功率15W/13W
典型掃描時間90 sec/p@ 6 inch
激光能量密度0.3-3J/cm2
激活率≥ 95% @B Implant
均勻性片內(nèi):≤ 1%,片間:≤ 1%,@6 inch,RS
自動傳片系統(tǒng)雙 LoadPort、多關(guān)節(jié)機器手、預(yù)準(zhǔn)直器


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