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用UNIPOL-1200M拋光機(jī)對(duì)芯片斷面的研磨拋光

2021年09月06日 15:55點(diǎn)擊:1707來源:沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司>>進(jìn)入該公司展臺(tái)

實(shí)驗(yàn)材料:方形芯片,芯片如圖1所示:

圖1 實(shí)驗(yàn)所用樣品圖

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簩?duì)芯片側(cè)面的斷面進(jìn)行研磨拋光,并觀察研磨拋光后的斷面狀況。

實(shí)驗(yàn)設(shè)備:由沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司制造的CXQ-2500自動(dòng)冷鑲嵌機(jī)、UNIPOL-1200M自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)、4XC金相顯微鏡

真空冷鑲嵌機(jī)研磨拋光機(jī)顯微鏡

CXQ-2500真空冷鑲嵌機(jī)      UNIPOL-1200M自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)     4XC金相顯微鏡

實(shí)驗(yàn)所用耗材:金相砂紙、金剛石噴霧拋光劑

圖2 實(shí)驗(yàn)所用設(shè)備圖

砂紙拋光劑

金相砂紙金剛石噴霧拋光劑

圖3 實(shí)驗(yàn)所用耗材圖

實(shí)驗(yàn)過程:

鑲嵌:由于芯片比較薄,側(cè)面面積較小,不利于研磨拋光,又UNIPOL-1200M自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)對(duì)樣品進(jìn)行研磨拋光時(shí)需要樣品呈圓柱狀,若原始樣品為適合研磨機(jī)的載樣盤的尺寸則可直接用于研磨,否則需要將試樣鑲嵌成載樣塊所要求尺寸的圓柱狀。鑲嵌樣品可以使用熱鑲嵌和冷鑲嵌兩種手段,本實(shí)驗(yàn)中由于芯片的部分材料不耐熱,因此選用自動(dòng)冷鑲嵌機(jī)對(duì)試樣進(jìn)行鑲嵌。這是因?yàn)椋滂偳恫粫?huì)損傷試樣,且鑲嵌料呈透明狀態(tài),可以觀察到樣品內(nèi)部狀況,自動(dòng)冷鑲嵌可對(duì)腔室進(jìn)行抽真空,具有排出鑲嵌料與試樣之間氣泡的功能,使樣品更牢固的鑲嵌在水晶膠之內(nèi)而不易脫落。鑲嵌后的樣品如圖4所示:可見,鑲嵌后的樣品內(nèi)部結(jié)合緊密,無氣泡存在,這樣研磨過程中樣品不會(huì)脫落,由于鑲嵌料的透明性可以觀察到樣品的正負(fù)面。

圖4 鑲嵌后的樣品圖

研磨:將鑲嵌好的樣品塊放置于UNIPOL-1200M自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)的研磨盤上進(jìn)行研磨,試樣應(yīng)在研磨盤上對(duì)稱的位置處進(jìn)行放置,防止研磨的時(shí)候載樣盤受力不均勻而將試樣磨偏,如果試樣數(shù)量不能構(gòu)成對(duì)稱可以使用樹脂塊與之配合形成對(duì)稱狀態(tài)進(jìn)行研磨。

UNIPOL-1200M自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)對(duì)試樣進(jìn)行研磨時(shí)研磨介質(zhì)使用砂紙,首先使用600#砂紙對(duì)試樣進(jìn)行研磨,上盤轉(zhuǎn)速30r/min,下盤轉(zhuǎn)速50r/min,下盤順時(shí)針旋轉(zhuǎn),上盤逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),從而保證試樣在砂紙表面承受較大的磨削力。對(duì)試樣施加的壓力為0.17MPa,次研磨應(yīng)使試樣被研磨面*去除一層,且整個(gè)被研磨面被磨平,此過程所用時(shí)間為次研磨的研磨時(shí)間,本實(shí)驗(yàn)研磨時(shí)間約為5min。次研磨完成后將試樣、研磨上盤和下盤用清水清洗干凈,以免給下一次研磨帶進(jìn)去污染。清洗之后將下盤砂紙換成1200#砂紙對(duì)制樣繼續(xù)進(jìn)行研磨,本次研磨應(yīng)將上一次研磨的研磨痕跡*去除,上盤轉(zhuǎn)速為30r/min,下盤轉(zhuǎn)速為70r/min,對(duì)試樣所施加的壓力為0.17MPa,所用的研磨時(shí)間為3min。研磨后將試樣、下盤和上盤用清水清洗干凈,然后使用更小顆粒度的砂紙對(duì)試樣進(jìn)行研磨。本實(shí)驗(yàn)次研磨所使用的砂紙的為1500#的砂紙,上盤與下盤的旋轉(zhuǎn)方向相反,上盤轉(zhuǎn)速30r/min,下盤轉(zhuǎn)速70r/min,對(duì)試樣施加的壓力為0.17MPa,研磨所用的時(shí)間為1min。研磨后將砂紙取下,將試樣、研磨盤上盤和下盤沖洗干凈,然后換用磨砂革拋光墊對(duì)研磨后的試樣拋光,拋光時(shí)所使用的研磨拋光液為顆粒度1.5μm的金剛石噴霧拋光劑,拋光樣品時(shí)上盤轉(zhuǎn)速為40r/min,下盤轉(zhuǎn)速為130r/min,上盤與下盤運(yùn)動(dòng)方向相反,對(duì)試樣所施加的壓力為0.17MPa,拋光所用的時(shí)間為5min。試樣研磨的拋光狀態(tài)如圖5所示:

圖5 試樣研磨拋光狀態(tài)圖

觀察:由于芯片厚度較薄,用肉眼很難觀察清楚研磨后的試樣的表面狀態(tài),因此使用顯微鏡對(duì)研磨后的試樣進(jìn)行觀察。本實(shí)驗(yàn)使用的是4XC倒置金相顯微鏡,通過觀察可見拋光后的樣品表面平滑光亮,無劃痕存在,不同材料的分界明顯。

 

可見,用UNIPOL-1200M自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)十分適合鑲嵌成圓柱的小試樣或圓柱狀的試樣的研磨拋光,且可同時(shí)對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行研磨拋光。不僅節(jié)省人力同時(shí)節(jié)省了大量的時(shí)間,是實(shí)驗(yàn)室研磨小型樣品時(shí)的設(shè)備。


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