NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統概述：NANO-MASTER PECVD系統能夠沉積高質量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜z大可達12" 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電J或中空陰J射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優S.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10^-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統的平面中空陰J等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數。

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統應用：

• 等離子誘導表面改性：就是通常所說的用等離子實現表面改性(如親水性、疏水性等)

• 等離子清洗：去除有機污染物

• 等離子聚合：對材料表面產生聚合反應

• 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石)，以及其它薄膜

• CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長：在需要的位置生長CNT或石墨烯。

特點：

• 緊湊型獨立式系統

• 不銹鋼或鋁制腔體

• J限真空可達10^-7Torr

• RF淋浴頭，HCD或微波等離子源

• 高達12"(300mm)直徑的樣品臺

• RF射頻偏壓樣品臺

• 水冷樣品臺

• 可加熱到的800 °C樣品臺

• 加熱的氣體管路

• 加熱的液體傳送單元

• 抗腐蝕的渦輪分子泵組

• 1路載體氣體以及3路反應氣體，帶MFC

• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

• 菜單驅動，4級密碼訪問保護

• 完整的安全聯鎖