美國吉時利KEITHLEY2410源表高壓源表功率為20W，能夠提供和測量從±5μV（源）和±1μV（測量）到±1100V的電壓，及從±10pA到±1A的電流。由于具有較高的電壓源范圍，2410非常適合于電阻和電壓系數測試、變阻器、高壓二極管、開關、齊納管、射頻 二極管和整流器的測試。2410在提供1100V電壓的同時能夠測量20mA的電流，具有精確測試所需的特殊分辨率。

美國吉時利KEITHLEY2410源表系列應用領域
各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：

• 離散和無源元件

–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻

–三抽頭器件——小信號雙極結型晶體管（BJT）、場效應晶體管（FET）等等

• 簡單IC器件——光學器件、驅動器、開關、傳感器

• 集成器件——小規模集成（SSI）和大規模集成（LSI）

–模擬IC

–射頻集成電路（RFIC）

–集成電路（ASIC）

–片上系統（SoC）器件

• 光電器件，例如發光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發射激光器（VCSEL）、顯示器

• 圓片級可靠性

- NBTI、TDDB、HCI、電遷移

• 太陽能電池

• 電池

暫態抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器

電路保護器件:

TVS、MOV、熔絲

安全氣囊

連接器、開關、繼電器

碳納米管

半導體納米線

碳納米管 FET

納米傳感器和陣列

單電子晶體管

分子電子

有機電子

基本運放電路

二極管和電路

晶體管電路

測試：

漏流

低壓、電阻

LIV

IDDQ

I-V特征分析

隔離與軌跡電阻

溫度系數

正向電壓、反向擊穿、漏電流

直流參數測試

直流電源

HIPOT

介質耐受性

雙極結型晶體管設計

結型場效應晶體管設計

金屬氧化物半導體場效應晶體管設計

太陽能電池和 LED 設計

高電子遷移率晶體管設計

復合半導體器件設計

分析納米材料和實驗器件

碳納米管的電測量標準

測量碳納米管電氣特性

提高納米電子和分子電子器件的低電流測量

在低功率和低壓應用中實現準確、可靠的電阻測量

納米級器件和材料的電氣測量

提高超高電阻和電阻率測量的可重復性

一種微分電導的改進測量方法

納米技術準確電氣測量的技術

納米級材料的電氣測量

降低外部誤差源影響的儀器技術

迎接65nm節點的測量挑戰

測量半導體材料的高電阻率和霍爾電壓

用微微微安量程測量電流

柵極電介質電容電壓特性分析

評估氧化層的可靠性

半導體器件結構設計和試驗低電阻、低功耗半導體器

輸出極低電流和測量極低電壓分析現代材料、半導體和納米電子元件的電阻

低阻測量(低至10nΩ)分析導通電阻參數、互連和低功率半導體。

用于*CMOS技術的脈沖可靠性測試

高K柵極電介質電荷俘獲行為的脈沖特性分析

用6線歐姆測量技術進行更高準確度的電阻測量

配置分立電阻器驗證測試系統

電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產測試

多臺數字源表的觸發器同步

高亮度、可見光LED的生產測試

OLED顯示器的直流生產測試

在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩定特性分析

數字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數據

連接器的生產測試方案

射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：

摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – 耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應和溫度效應。

I-V 曲線分析：

電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲線比較。

C-V 曲線 (準靜態) 結合 C-V 曲線：

表面電位 Ψs 與施加電壓的關系 – Si (100) 的表面態密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：

移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應力：200°C，10 分鐘，±10V)

2. 雙極結型晶體管

主題

正向共發射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。

正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。

正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).

確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。

Βf 與 log(Ic) 的關系： 低注入和高注入的效果。

非理想特性：爾利電壓。

反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).

反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。

反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).

確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。

Βr 與 log(Ie) 的關系： 低注入和高注入的效果。

Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。

Ebers Moll 模型構建并且與實驗做比較。

BE 和 CE 結的 C-V 特性分析。基區摻雜濃縮。

3. 亞微米集成 MOSFET

輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):

p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調制參數(λ) 在飽和區域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關系。

傳輸特性

襯底偏壓特性

亞閾值特性

襯底電流特性

VCSEL測試、光伏電池的I-V特性、IDDQ測試和待機電流測試、產生電流 (或電壓) 脈沖、提升多引腳器件的生產量、創建可擴縮、多引腳、多功能IC測試系統、激光二極管模塊和VCSEL進行高吞吐率直流、二極管生產測試、高亮度、可見光LED、驗證變阻器、電池放電/充電周期、配置電阻網絡、大電流變阻器、熱敏電阻的生產測試