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更新時間:2019-01-27 15:59:09瀏覽次數(shù):1207次
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產(chǎn)地 | 進口 |
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nanoplus 3000-6000nm ICL激光器
非常高的光譜純度
*的波長可調(diào)諧性
超寬的光譜線寬
*的光譜穩(wěn)定性
各種封裝可供選擇
3~5 mm高功率高溫中紅外激光器廣泛應用于通信、痕量氣體監(jiān)測、電子對抗和環(huán)境監(jiān)控等領域。但是自然界中缺乏適合于中紅外波段的半導體材料。為 了解決這個問題,1971 年前蘇聯(lián)Loffe研究所的Kazarinov 等首先提出了單極子量子級聯(lián)激光器(QCL)的設想。然而, 由于QCL 中兩個電子態(tài)之間的波函數(shù)重疊很小,因此光躍遷率很低,需要很高的電子注入才能獲得足夠大的增益來克服系統(tǒng)損耗,這需要非常高的閾值電流,這也導致了 QCL激光器發(fā)熱量巨大,沒辦法實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)。而為了解決QCL 存在的問題,1994年美國加利福尼亞技術研究所噴氣推進實驗室的Rui.Q.Yang首先提出了第二型帶間級聯(lián)激光器(ICL) 的概念。第二型ICL 利用Sb 基第二型量子阱的破隙能帶結(jié)構(gòu)所具有強的空間帶間耦合的特點,并保留了量子級聯(lián)結(jié)構(gòu)循環(huán)利用注入電子的優(yōu)點,從而獲得比傳統(tǒng)器件更高的量子效率。第 二型ICL 具有幾個明顯的優(yōu)點:1、由于它是帶間躍遷發(fā)射光子,有效消除了由子帶間光聲子輻射引起的非輻射弛豫,具有較高的輻射效率,能夠顯著降低閾值電流密度。 2、在特定波長的選擇上,第二型ICL 允許裁剪層的厚度和組分存在較大的偏差,在器件的設計和制作上具有很大的靈活性。3、通過能帶工程可以顯著抑制俄歇復合,因此可以獲得較高的輸出功率。 4、帶間設計消除了由子帶間躍遷引起的偏振選擇定則限制,可以制作成面發(fā)射結(jié)構(gòu)。ICL激光器是TDLAS技術應用上未來的趨勢,它以連續(xù)波(CW)模式激射,且具有高輸出功率、低閾值電流密度的特點,理論上來說,未來它是能夠在室溫下運行的。
Nanoplus 3-6µm之間的DFB-ICL帶間級聯(lián)激光器有效消除了由子帶間光聲子輻射引起的非輻射弛豫,具有較高的輻射效率,能夠顯著降低閾值電流密度,理論上來說,它將來可以在室溫下運行,也一定是TDLAS技術應用上的未來的趨勢。它具有以下主要特點:
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