6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商恒邁瑞公司專注于生產(chǎn)供應(yīng)導(dǎo)電N型碳化硅襯底晶片，半絕緣SI型級(jí)P型碳化硅襯底晶片，產(chǎn)品涵蓋測(cè)試D級(jí)，研究R級(jí)和產(chǎn)品P級(jí)，不同客戶不同應(yīng)用可選擇對(duì)應(yīng)的參數(shù)等級(jí)。除6-8英寸碳化硅襯底外，我司亦可供應(yīng)2英寸4英寸停產(chǎn)等級(jí)的碳化硅襯底片。歡迎有需求客戶電話詢價(jià)。

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。

制造碳化硅襯底的有物理氣象升華法、化學(xué)氣相沉積法以及頂部籽晶溶液生長(zhǎng)法三種。物理氣相升華法是在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過溫場(chǎng)的控制在籽晶表面生 長(zhǎng)出碳化硅晶體，是企業(yè)最嘗使用的一種方法。以碳化硅晶片為襯底，使用化學(xué)氣相沉積法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。