蘇州恒邁瑞材料科技有限公司生產供應碳化硅SiC晶錠，產品主要有4英寸到8英寸，類型分為導電型4H-N 摻雜氮和半絕緣型4H-Si型非摻碳化硅晶錠，產品等級可分為測試D級與產品P級。導電型碳化硅晶錠電阻率0.015~0.025Ω.cm,晶向Off axis:4.0°toward<1120>±0.2°，如有測試激光冷剝離設備，水導激光切割設備，金剛石減薄砂輪等需求，歡迎隨時與我司聯系。

碳化硅晶片的生產包括合成高純碳化硅微粉、晶體生長于石墨坩堝中、晶錠的定向加工至標準尺寸、切割成薄片、研磨至特定平整度和粗糙度、拋光至無損傷表面、全面檢測各項參數指標，以及最終的清洗過程，確保晶片質量滿足標準。

SiC晶體以其優異的力學、熱學、化學、電學和光學性質，在多個領域展現出重要應用價值。

• 力學上，SiC的硬度僅次于金剛石，常用于磨料和耐磨涂層，如山東艦甲板。

• 熱學上，SiC的導熱系數高于Si和GaAs，適合大功率器件，且在高溫下穩定，不易熔化。

• 化學上，SiC耐腐蝕，不易與堿反應，并能在空氣中形成保護層，防止進一步氧化。

• 電學上，SiC具有寬禁帶，低漏電和高擊穿電場，是理想的大功率和高頻器件材料，且可通過摻雜獲得不同電性質的SiC晶體。

• 光學上，純凈SiC無色透明，摻雜后呈現不同顏色，有助于直觀區分晶型。