機床商務網
詳細介紹
通過高精度的集中度調整技術，提供穩定的加工品質
- 電鑄結合劑
加工對象: Silicon wafer, Compound semiconductor wafers (GaAs, GaP, etc.), Oxide wafers (LiTaO3, etc.), etc
運用新開發的集中度控制技術，開發出了5個等級的集中度系列產品。通過集中度的細分化，兼備了加工品質高（特別是背面崩缺-chipping）和使用壽命長的新型切割刀片。
- 可滿足各種加工需求的5個等級集中度的系列產品
- 縮短預切割時間，并采用了降低晶粒飛濺及破損的技術
集中度范圍
在切割加工中，集中度※會影響到磨粒層的消耗速度（使用壽命）以及加工品質（崩缺-chipping尺寸），通過集中度的高精度控制技術，使切割刀片消耗量及加工品質更趨于穩定。
※ 集中度是指在切割刀片中，金剛石（鉆石）磨粒所占有的體積比例值。
例如，集中度100就是表示金剛石（鉆石）磨粒所占的體積為25 %。
實驗結果
ZH05擴大了集中度的選擇范圍，可更加準確地滿足用戶的各種加工需求。此外，還有望縮短預切割時間。
消耗量和背面崩裂的關系
| Workpiece | Φ6" Si+Oxide layer |
| Depth | 400 µm (full cut) |
| Feed speed | 60 mm/s |
| Spindle revolution | 30,000 min-1 |
縮短預切割的效果
| Workpiece | Φ6" Si |
| Depth | 400 µm (full cut) |
| Feed speed | 10, 20, 30 mm/s（each of 10lines） 40, 50 mm/s（each of 20lines） 60 mm/s（each of 130lines） |
| Spindle revolution | 30,000 min-1 |
技術規格
機床商務網