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詳細(xì)介紹
產(chǎn)品特點(diǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域：適用于大學(xué)、研究院所、企業(yè)研發(fā)禮構(gòu)通用的等離子體刻蝕的科研與教學(xué)或者小批量量產(chǎn)。
等離子刻蝕方式：RIE反應(yīng)離子刻蝕或者ICP模式離子刻蝕（根據(jù)用戶需求定制）
樣片數(shù)量及尺寸：1片φ6英寸、8英寸
刻蝕材料：包括并不限于單晶硅、多晶硅、Si02，Si3N4，Ti，W、聚合物等
刻蝕腔體：高真空系統(tǒng)
刻蝕不均勻性：±3%-+6%
刻蝕速率：0.1-4um/min（視具體材料與工藝）
工作臺(tái)：可升降，包含水冷
電源配置：上電極射頻，下電極偏壓，包含自動(dòng)匹配
氣路數(shù)量與種類：6路耐氟基腐蝕氣路或用戶選配
操作模式：PLC+電腦顯示屏，全自動(dòng)+半自動(dòng)控制
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