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詳細介紹
采用安全的LED光源的反射型晶圓定位傳感器
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 ※1 |  ※2 |
| ※1 | EMC指令 |
|---|---|
| ※2 | Recognition認證 |
特點
安全性的LED式
以往使用激光的激光式定位傳感器，激光會從加載口內側穿過FOUP直射操作人員，十分危險。 |  |
亦可檢測玻璃晶圓
M-DW1以反射光的位置來檢測，不管反射光量的多少都能檢測出玻璃晶圓。 |  |
可檢測涂氮晶圓
氮化膜具有可吸收特定波長光的性質，吸收的波長因氮化膜的厚度而不同。因此，對于使用單波長激光的傳感器，可能會因光全被吸收而無法檢測。
而LED光源的光具有一定波長段，即使氮化膜晶圓也可準確檢測。
0.5ms的高速反應
實現0.5ms的高速反應。兼顧高速反應性和高精度。
基于2段受光元件的高精度位置檢測
利用反射光量檢測時，反射光量和晶圓的邊緣形狀會影響檢測結果。M-DW1的受光部使用2段受光元件，通過反射光位置而非反射光量進行檢測。因此，受晶圓厚度和反射光量的影響較小。 |  |
可從四個方向引出電纜
傳感器可以從正前方、右側、左側、下方四個方向引出電纜。可根據傳感器的設置情況靈活調節。 |  |
內置放大器的小巧、輕盈型
尺寸為寬度80.6mm×厚度18.3mm×進深50mm，質量約為75g的小巧、輕盈型。 |  |
種類
| 型號 | 形狀 | 中心檢測距離 | 檢測物體 | 輸出 |
|---|---|---|---|---|
| M-DW1 |  | 45mm | 3以上的半導體晶圓 | NPN輸出／PNP輸出通過切換開關選擇 |
規格
| 種類 | LED式反射型 | |
| 型號 | M-DW1 | |
| 中心測量距離 | 45mm | |
| 檢測物體 | 3英寸以上的半導體晶圓(注2) | |
| 可對應檢測面 | 有受光方向反射面的端面形狀的檢測面(注3) | |
| 檢測角度 | 12.5±5°(注4) | |
| 晶圓間距 | 間距3mm以上時，可按通常靈敏度進行分離檢測(注5) | |
| 適用晶圓盒 | SEMI規格FOUP晶圓盒/開放式晶圓盒 | |
| 電源電壓 | 12?24V DC±10% 脈動P-P10%以下 | |
| 消耗電流 | 65mA以下 | |
| 輸出 | NPN輸出／PNP輸出 可由切換開關選擇 NPN開路集電極晶體管 ?流入電流：100mA ?外加電壓：30V DC以下(輸出和0V之間) ?剩余電壓：1V以下(流入電流為100mA時) 0.4V以下(流入電流為16mA時) PNP開路集電極晶體管 ?源電流：100mA ?外加電壓：30V DC以下(輸出和+V之間) ?剩余電壓：1V以下(源電流為100mA時) 0.4V以下(源電流為16mA時) | |
| 輸出動作 | 可用切換開關選擇入光時ON/非入光時ON | |
| 短路保護 | 裝備(自動復位) | |
| 反應時間 | 500μs以下 | |
| 工作狀態指示燈 | 橙色LED(輸出ON時亮起) | |
| 穩定指示燈 | 綠色LED(穩定入光時、穩定非入光時亮起點燈) | |
| 定時器功能 | 裝備約2ms固定斷開延遲定時器 有效/無效切換式 | |
| 投光停止輸入 | 信號條件 ?投光停止：斷開或4?8V ?投光：0?3V或9V?+V(26.4V MAX.) | |
| 靈敏度切換輸入 | 信號條件 ?輸入OFF：斷開或4?8V ?輸入ON ：0?3V或9V?+V(26.4V MAX.) | |
| 靈敏度設定 | 背面教導：按本體靈敏度設定按鈕運行 檢測靈敏度切換：本體開關2bit、4級或外部輸入的2級選擇式 | |
| 環 境 性 能 | 保護構造 | IP20(IEC) |
| 使用環境溫度 | 0?＋55℃(注意不可結露)、存儲時：?10?＋70℃ | |
| 使用環境濕度 | 35?85%RH、存儲時： 35?85%RH | |
| 使用環境照明度 | 白熾燈：受光面照明度3,000lx以下、熒光燈：受光面照明度1,500lx以下 | |
| 耐電壓 | AC1,000V 1分鐘 所有電源連接端子與外殼之間 | |
| 絕緣電阻 | 所有電源連接端子與外殼之間，20MΩ以上，基于DC250V的高阻表 | |
| 耐振動 | 頻率10?500Hz 雙振幅3mm X,Y和Z方向各2小時 | |
| 耐沖擊 | 耐久98m/s2(約10G) XYZ方向各5回 | |
| 投光元件 | LED(調制式) | |
| 材質 | 外殼：ABS及SUS301、透鏡： 丙烯 | |
| 電纜 | 0.15mm2 5芯橡皮電纜，長300mm | |
| 電纜延長 | 0.15mm2 以上的電纜全長可延長至10m | |
| 重量 | 本體重量：約75g | |
(注1)：無的測量條件為使用環境溫度＝+20℃。
(注2)：檢測8英寸以下的晶圓時，可能會因晶圓間距、定位邊或表面的狀態等而影響檢測。
(注3)：對于經研磨后厚度變薄的晶圓，如果其端面呈刀刃狀，可能會因光線不能從檢測面向受光方向反射而難以檢測。
(注4)：晶圓旋轉時，定位邊的跳動角度約為±20°。
(注5)：斜向插入8英寸晶圓時的附近的間距。檢測帶定位邊的晶圓時，對于避開定位邊的檢測位置，晶圓間距變得更窄，檢測信號無法分解，變為連續的寬幅信號。
尺寸圖
- 單位mm
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