當前位置:沈陽科晶自動化設備有限公司>>化學氣相沉積設備(PECVD等)>> 高真空PECVD系統
1700℃兩通道混氣高真空CVD系統GSL-1700X-4-C2HV
1700℃單溫區三通道混氣CVD系統GSL-1700X-F3LV
帶滑動法蘭三溫區CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV
產品簡介:高真空PECVD系統為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝研發設備,用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,鍍膜樣品為156*156mm基片(并向下兼容)。
產品型號 | 高真空PECVD系統 |
主要特點 | 1、系統采用單室方箱式結構,手動前開門; 2、真空室組件及配備零部件全部采用優質不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學拋光鈍化處理配有可視觀察窗口,并帶擋板,真空尺寸為300mm×300×280mm; 3、采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進氣方式 4、氣路設有勻氣系統,真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置 5、系統設有硅烷尾氣處理系統(高溫裂解方式)。 |
技術參數 | 1、停泵關機12小時后真空度:≤5 Pa; 2、樣品加熱高加熱溫度:300℃,溫控精度:±1°C,采用日本進口控溫表進行控溫; 3、噴淋頭尺寸:200×200mm,噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續可調,并帶有標尺指數顯示,采用金屬焊接波紋管+進口直線導軌+進口絲杠+進口光軸方式,升降平穩、無抖動,保證了電極與樣品的平行度; 4、 沉積工作真空:13-1300Pa; 5、射頻電源:頻率 13.56MHz,大功率500W,全自動匹配; 6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路氣體,共計使用6個質量流量控制器控制進氣。 |
標準配件 |
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可選配件 |
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