詳細介紹
CY7C1021CV33-12ZSXET 高性能CMOS靜態RAM存儲器:
描述:
CY7C1021CV33-12ZSXET:
是一款高性能CMOS靜態RAM,組織為65,536字×16位。 該器件具有自動斷電功能,可在取消選擇時顯著降低功耗。
規格:
存儲器類型 易失
存儲器格式 SRAM
技術 SRAM - 異步
存儲容量 1Mb (64K x 16)
存儲器接口 并聯
寫周期時間 - 字,頁 12ns
訪問時間 12ns
電壓 - 電源 3V ~ 3.6V
工作溫度 -40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
供應商器件封裝 44-TSOP II
特征:
引腳和功能與CY7C1021CV33兼容
高速
CMOS可實現速度和功率
低有功功率:325 mW
取消選擇時自動斷電
獨立控制高位和低位
采用無鉛和非無鉛44引腳400 mil SOJ,44引腳TSOP II和48引腳FBGA封裝
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