IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 分立單路晶體管：

規格：

IRFL210TRPBF：

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 200V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 960mA（Tc）

驅動電壓   10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On   1.5 歐姆 @ 580mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）  4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）  8.2nC @ 10V

Vgs   ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）  140pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散  2W（Ta），3.1W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-223

封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA

STD30PF03LT4：

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 24A（Tc）

驅動電壓  5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On  28 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）  1V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）  28nC @ 5V

Vgs  ±16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）  1670pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散  70W（Tc）

工作溫度 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 DPAK

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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