CSD18532Q5B N溝道晶體管：

一，規格：
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Ta）
驅動電壓（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）
3.2 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值）
58nC @ 10V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）
5070pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
3.2W（Ta），156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-VSONP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

二，特征：
超低Qg和Qgd
低熱阻
通過雪崩評級
邏輯水平
無鉛端子電鍍
符合RoHS標準
無鹵素
SON 5毫米×6毫米塑料封裝

三，應用：
DC-DC轉換
次級側同步整流器
隔離式轉換器初級側開關
電機控制

四，說明：
這款2.5mΩ，60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在大限度地降低功率轉換應用中的損耗。

以上型號 CSD18532Q5B N溝道晶體管 為星際金華優勢供應，如需了解更多詳情，歡迎詢問公司工作人員，我們將竭誠為您服務！