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低阻高摻雜P型碳化硅晶片生產(chǎn)商

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)4英寸N型
  • 所  在  地蘇州市
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間 2024-10-31
  • 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)323

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠(chǎng)商,為客戶(hù)定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片,可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片可為客戶(hù)提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線(xiàn)切割機(jī)/激光切割機(jī),晶錠研磨機(jī),晶體晶棒拋光機(jī))所用的4H-N(導(dǎo)電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜NP型摻雜Al)碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

 

硅基氮化鎵外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切割片,碳化硅襯底晶片,碳化硅同質(zhì)外延片,氮化鎵襯底片
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn)
?恒邁瑞作為碳化硅晶片專(zhuān)業(yè)供應(yīng)商之一,為半導(dǎo)體公司及實(shí)驗(yàn)機(jī)構(gòu)提供低阻高摻雜P型碳化硅襯底晶片,摻雜鋁,利用液相法生長(zhǎng)的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質(zhì)等優(yōu)勢(shì),能滿(mǎn)足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。
低阻高摻雜P型碳化硅晶片生產(chǎn)商 產(chǎn)品信息

恒邁瑞作為碳化硅晶片專(zhuān)業(yè)供應(yīng)商之一,為半導(dǎo)體公司及實(shí)驗(yàn)機(jī)構(gòu)提供低阻高摻雜P型碳化硅襯底晶片,摻雜鋁,利用液相法生長(zhǎng)的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質(zhì)等優(yōu)勢(shì),能滿(mǎn)足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。


碳化硅主要應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。根據(jù)業(yè)界數(shù)據(jù)顯示,就電動(dòng)汽車(chē)而言,使用SiC功率半導(dǎo)體時(shí),行駛里程可以增加18~20%,預(yù)計(jì)未來(lái)汽車(chē)的采用率將從目前的15%提高到60%。從整車(chē)廠(chǎng)方向上看,目前包括蔚來(lái)、理想、小鵬、小米、嵐圖、智己、比亞迪、長(zhǎng)城等多數(shù)車(chē)企均推出了800V碳化硅高壓平臺(tái)。


展望未來(lái),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)表示,作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向,SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì),未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),并預(yù)測(cè),2028年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。


碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。其中碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘高、價(jià)值量大的環(huán)節(jié),是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié),其生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。


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