恒邁瑞公司可生產供應測試D級8英寸碳化硅襯底晶片，8英寸碳化硅是目前碳化硅市場上尺寸zui 大的襯底，主流仍舊為6英寸SiC襯底。8英寸碳化硅晶片直徑200±0.5mm，厚度500±25um，電阻率0.01-0.03ohm.cm,可分為測試D級與產品P級，同樣有導電N型8英寸碳化硅與半絕緣SI型8英寸碳化硅襯底，歡迎有采購需求的客戶與我們聯系獲取規格與報價。
產品類型：碳化硅襯底
晶型：4H
摻雜：氮 Nitrogen
厚度：500um±25um
尺寸：8英寸
晶向：Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°
碳化硅襯底的優勢：
* 碳化硅襯底與氮化鎵（GaN）外延層的晶格常數匹配，化學特性相容；
* 碳化硅材料熱導率優秀（比藍寶石高10倍以上）且與GaN外延層熱膨脹系數相近；
* 碳化硅是導電的半導體，可以制作垂直結構器件，其兩個電極分布在器件的表面和底部，能解決藍寶石襯底必須的橫向結構封裝帶來的各種缺點；
* 碳化硅襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。
