恒邁瑞公司注于碳化硅晶錠研發生產，目前可供應4~8英寸4H-N導電型碳化硅晶錠及4~6英寸4H-SI半絕緣碳化硅晶錠，作為SiC晶錠供應商，我司產品等分為測試D級和產品P級以滿足不同需求的客戶。我們始終以優惠的價格，優質的服務，提供高品質的碳化硅晶錠及切割片等產品，歡迎國內外客戶來電詢價，了解晶錠的各項詳細參數。
半絕緣型碳化硅上主要是長氮化鎵外延層制造用于射頻和光電器件，導電型碳化硅襯底上長同質碳化硅外延層用來做功率半導體，
對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業客戶帶來重大收益。
碳化硅襯底的優勢：
* 碳化硅襯底與氮化鎵（GaN）外延層的晶格常數匹配，化學特性相容；
* 碳化硅材料熱導率優秀（比藍寶石高10倍以上）且與GaN外延層熱膨脹系數相近；
* 碳化硅是導電的半導體，可以制作垂直結構器件，其兩個電極分布在器件的表面和底部，能解決藍寶石襯底必須的橫向結構封裝帶來的各種缺點；
* 碳化硅襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。
