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水導(dǎo)激光切割測試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號4H-N
  • 所  在  地蘇州市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024-10-31
  • 訪問次數(shù)622

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商,為客戶定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片,可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片可為客戶提供加工測試DummySiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī),晶錠研磨機(jī),晶體晶棒拋光機(jī))所用的4H-N(導(dǎo)電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜NP型摻雜Al)碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

 

硅基氮化鎵外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切割片,碳化硅襯底晶片,碳化硅同質(zhì)外延片,氮化鎵襯底片
產(chǎn)地 國產(chǎn)
水導(dǎo)激光切割技術(shù)在切割碳化硅晶錠質(zhì)量方面更有優(yōu)勢,蘇州恒邁瑞公司生長供應(yīng)水導(dǎo)激光切割設(shè)備測試用碳化硅晶錠晶棒,測試級采購成本相較于研究級產(chǎn)品級碳化硅晶棒要少很多,特別適合設(shè)備前期驗(yàn)證測試用。
水導(dǎo)激光切割測試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商 產(chǎn)品信息

水導(dǎo)激光切割測試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商


水導(dǎo)激光切割技術(shù)在切割碳化硅晶錠質(zhì)量方面更有優(yōu)勢,蘇州恒邁瑞公司生長供應(yīng)水導(dǎo)激光切割設(shè)備測試用碳化硅晶錠晶棒,測試級采購成本相較于研究級產(chǎn)品級碳化硅晶棒要少很多,特別適合設(shè)備前期驗(yàn)證測試用。


技術(shù)首先讓激光經(jīng)過凸透鏡聚焦后通過石英玻璃窗體進(jìn)入到耦合水腔,調(diào)整聚焦透鏡與小孔噴嘴之間的距離使激光焦點(diǎn)剛好處于噴嘴上表面中心,然后讓激光束在進(jìn)入穩(wěn)定的水射流后發(fā)生全反射,使得激光沿水流方向傳播,從而通過高壓水射流引導(dǎo)加工材料表面進(jìn)行切割。


該技術(shù)具有以下優(yōu)勢:
1)水流能冷卻切割區(qū),降低材料熱變形和熱損傷程度;
2)切割速度明顯加快;
3)噴射的水流帶走加工碎屑及污染物;
4)水束光纖的工作距離大,且無需激光聚焦;
5)較小的水流直徑縮短切縫寬度,提高了加工的精度,切割截面更為光滑。因此,水導(dǎo)激光切割技術(shù)將成為切割提高產(chǎn)能及良率的有效途經(jīng)。

碳化硅分為導(dǎo)電型和半絕緣型。由導(dǎo)電型碳化硅襯底生長出的碳化硅外延片可進(jìn)一步制成功率器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域;半絕緣型襯底主要用于制造氮化鎵微波射頻器件,是無線通信領(lǐng)域的基礎(chǔ)性器件。碳化硅襯底是這個應(yīng)用的最上游,關(guān)系到整個產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。




關(guān)鍵詞:軌道交通
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