水導(dǎo)激光切割測試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商
碳化硅分為導(dǎo)電型和半絕緣型。由導(dǎo)電型碳化硅襯底生長出的碳化硅外延片可進(jìn)一步制成功率器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域;半絕緣型襯底主要用于制造氮化鎵微波射頻器件,是無線通信領(lǐng)域的基礎(chǔ)性器件。碳化硅襯底是這個應(yīng)用的最上游,關(guān)系到整個產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。
參考價(jià) | 面議 |
蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商,為客戶定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片,可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片,可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī),晶錠研磨機(jī),晶體晶棒拋光機(jī))所用的4H-N(導(dǎo)電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N(P型摻雜Al)碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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水導(dǎo)激光切割測試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商
碳化硅分為導(dǎo)電型和半絕緣型。由導(dǎo)電型碳化硅襯底生長出的碳化硅外延片可進(jìn)一步制成功率器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域;半絕緣型襯底主要用于制造氮化鎵微波射頻器件,是無線通信領(lǐng)域的基礎(chǔ)性器件。碳化硅襯底是這個應(yīng)用的最上游,關(guān)系到整個產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。
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