蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產廠商，為客戶定制生產4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
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您是否想要采購半絕緣型8英寸碳化硅襯底和導電型8英寸碳化硅晶片，不妨了解下恒邁瑞公司，專業生產供應碳化硅襯底晶片，尺寸涵蓋2英寸4英寸6英寸及英寸，既有測試D級，研究R級也有產品P級碳化硅襯底。我司與國內外半導體公司及實驗室合作多年，對客戶給予價格支持，歡迎有需求客戶詢價。
從碳化硅粉末開始，通過單晶生長，成為錠，然后通過切割拋光工藝進入襯底，襯底延伸延伸，然后通過光刻、沉積、離子注入等步驟制作設備結構晶圓，晶圓變薄退火成晶片，包裝試驗后，是碳化硅功率設備，最終設備形成電力電子設備并應用。
PVT法(物理氣相傳輸法)
這是最主流的生長方法。原理：石墨坩堝腔體內，電感線圈加熱，發生渦流作用，石墨發熱體加熱，溫度上升至2000攝氏度以上，底部的高純碳化硅分解成原子、分子等氣相物質，又在溫度梯度的作用下，向低溫區輸送，在碳化硅籽晶上形核成晶；
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