恒邁瑞公司供應(yīng)4英寸6英寸及8英寸耗盡型硅基氮化鎵外延片D-mode,結(jié)構(gòu):
Si襯底/AlN/Buffer/GaN Channel/AlGaN Barrier/Cap layer.其中0-5nm保護層cap layer可選GaN 或SiN.除此外,也提供e-mode增強型pGaN/GaN-on-Si硅基GaN外延片供不同客戶不同需求。歡迎有氮化鎵外延片需求客戶與我們聯(lián)系獲取報價及技參。
參考價 | 面議 |
硅基GaN外延RF HEMT氮化鎵外延片GaN外延片生產(chǎn)商pGaN-on-Si氮化鎵外延片AlGaN/GaN on Si外延片
蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商,為客戶定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍寶石基氮化鎵外延片,可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片,可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機/激光切割機,晶錠研磨機,晶體晶棒拋光機)所用的4H-N(導(dǎo)電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N(P型摻雜Al)碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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恒邁瑞公司供應(yīng)4英寸6英寸及8英寸耗盡型硅基氮化鎵外延片D-mode,結(jié)構(gòu):
Si襯底/AlN/Buffer/GaN Channel/AlGaN Barrier/Cap layer.其中0-5nm保護層cap layer可選GaN 或SiN.除此外,也提供e-mode增強型pGaN/GaN-on-Si硅基GaN外延片供不同客戶不同需求。歡迎有氮化鎵外延片需求客戶與我們聯(lián)系獲取報價及技參。
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