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蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產廠商，為客戶定制生產4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
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碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，在現代工業領域應用廣泛。恒邁瑞公司供應2英寸4英寸6英寸及8英寸未拋光碳化硅切割片，導電N型，各種厚度可供客戶選擇，未拋光SiC切割片可被用于研磨及拋光測試驗證。
SiC材料的表面加工質量對制件的可靠性和使用壽命至關重要，如：在半導體領域，SiC晶片的輕薄化和表面超光滑的特性不僅減小了體積，還降低了其內阻，改善了芯片散熱性能。在單晶SiC基片的外延工藝應用中要求表面粗糙度Ra<0.3 nm ，并且表面無缺陷、無損傷。光學元件的表面質量是影響光學系統成像分辨率的重要因素，拋光就是為了提高表面質量，盡量降低表面粗糙度和亞表面損傷層深度，而散射越少，成像分辨率越高。光學鏡面要求其光學元件表面超光滑，表面粗糙度均方根(Root Mean Square ，RMS)<1nm。機械密封元件要求密封端面的表面粗糙度Ra<0.4 μm，平面度一般小于0.9 μm。
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