| 參考價 | 面議 |
蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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恒邁瑞公司目前可提供2英寸碳化硅雙拋襯底片及2英寸碳化硅切割晶片。未研磨及拋光的2英寸碳化硅切割片厚度為1200um，廣泛應(yīng)用于金剛石砂輪，磨料的研磨，拋光驗證測試。碳化硅研磨分為粗磨和精磨，粗磨是使用粒徑較大的磨粒進行研磨,主要是用于去除切片表面損傷層,速率為3-10um/min,表面粗糙度可達0.2um左右;精磨是用粒徑較小的磨粒進行研磨,主要去除粗研留下的損傷層,保證襯底面型精度(WARP、BOW、TTV, LTV等) ,效率在5-40um/h,表面粗糙度在0.1um左右, TTV在3-6μm。
研磨工藝的優(yōu)點在于成本相對較低，但它也存在一些缺點，包括工序較為繁瑣，自動化水平不高，對于大尺寸晶圓的加工，存在較高的破片風險。此外，研磨工藝的靈活性較低，不利于單片加工。同時，由于需要使用研磨液，它對環(huán)境也會產(chǎn)生一定的影響。
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