蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產廠商，為客戶定制生產4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
4H-N碳化硅晶錠生產商激光冷切割冷剝離
恒邁瑞專注于生產高質量4H-N碳化硅晶錠，并為激光冷切割設備激光冷剝離設備生產商供應6英寸導電型碳化硅晶錠。
激光冷切割技術先用激光照射晶錠形成剝落層，使碳化硅材料內部體積膨脹，從而產生拉伸應力形成一層非常窄的微裂紋，然后通過聚合物冷卻步驟將微裂紋處理為一個主裂紋，最終將晶圓與剩余的晶錠分開。
該技術具有以下優勢：1）每片晶圓總切口損失小于100μm；2）SiC晶圓的良率提高90%；3）該技術大幅減少了SiC晶圓生產過程中的原材料損耗，可以提供3倍的材料，最終SiC器件產能提高近2倍，成本降低20-30%。以單個20mm的SiC晶錠為例，采用多線切割技術可生產30片350μｍ的晶圓，而采用冷切技術能將單片晶圓厚度減少到200μｍ，晶圓產量提高到超80片。
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