蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產廠商，為客戶定制生產4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
| 產地 | 國產 |
|---|
碳化硅毛坯籽晶帶球面晶錠晶棒廠家
作為碳化硅坯料生產廠商，恒邁瑞為客戶提供4英寸6英寸碳化硅毛坯籽晶帶球面晶錠晶棒，用于測試弧度球面的面形和缺陷，同時測試碳化硅Si面缺陷。導電型碳化硅坯料厚度約10-20mm，未經過頭尾切片，研磨拋光等工序。
高質量碳化硅晶錠切片成翹曲小、厚度均勻，否則會給后續的研磨和拋光帶來很大的困難。一般采用金剛石線鋸將碳化硅切成晶圓，總厚度變化（TTV）小于30 μm，翹曲度（Warp）小于20 μm。
研磨是規?；a中加工碳化硅襯底的第二步。碳化硅斷裂韌性低，研磨難度大，對開裂非常敏感。研磨過程需要涉及到轉速、壓力、砂粒大小、磨料密度等諸多參數。因此，研磨過程需要嚴格選擇操作參數以大限度地提高磨削率，同時控制表面完整性。
*您想獲取產品的資料：
個人信息：
