蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產廠商，為客戶定制生產4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
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恒邁瑞公司生產供應4-6英寸導電型碳化硅晶錠，在當今科技日新月異的時代，新材料的出現不斷推動著人類社會的發展。其中，碳化硅（SiC）作為一種具有廣闊應用前景的新材料，引起了廣泛關注。作為碳化硅晶錠、碳化硅晶棒生產廠家，我們致力于為客戶提供高質量的碳化硅晶錠。碳化硅晶錠：作為新一代半導體材料，其具備高電導率、高溫穩定性以及高壓耐受等優點，被廣泛應用在新能源汽車、光伏等領域，并有望替代傳統硅基半導體材料。
碳化硅是一種寬禁帶半導體材料，具有高的熱導率、高的臨界電場強度、高的飽和電子遷移率等特性，這些特性使得碳化硅成為制作高溫、高頻、高功率電子器件的理想材料。碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管和碳化硅晶體管。
碳化硅二極管主要利用碳化硅材料的高臨界電場強度和高熱導率特性，使得器件在高壓、高溫條件下仍能保持優良的性能。碳化硅晶體管則通過控制電流在碳化硅材料中的流動，實現電能的轉換和控制。
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