單晶硅異形切割晶圓盲孔盲槽定制加工

隨著硅半導(dǎo)體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導(dǎo)體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進(jìn)行切割，在晶圓上劃分出若干個(gè)圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體。或者采用的是非均勻圓環(huán)、同一圓心角內(nèi)進(jìn)行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來(lái)的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。

因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個(gè)方向的位置、精度高、全自動(dòng)運(yùn)行，對(duì)晶圓切割的位置進(jìn)行準(zhǔn)確定位，切割出來(lái)的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應(yīng)性強(qiáng)，可以避免薄晶圓因切割破裂。

華諾激光業(yè)務(wù)范疇包括前期的方案可行性研究和新制程開(kāi)發(fā)服務(wù)、中期小規(guī)模試產(chǎn)和論證、后期的規(guī)模化量產(chǎn)業(yè)務(wù)外包等，華諾激光致力于成為國(guó)內(nèi)激光精密微加工和微制造的**者，為客戶提供定制化、低成本和完善的**激光加工解決方案。

1.激光切割、劃片是非機(jī)械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。

2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對(duì)芯片的電性影響較小，可以提高*高的切割成品率。

3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。

4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。

5.激光可以切割一些較為復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。

6.激光切割不需要去離子水，不存在磨損問(wèn)題，可連續(xù)24小時(shí)作業(yè)。

7.激光具有很好的兼容性，對(duì)于不同的晶圓片，激光切割具有*好的兼容性和通用性。

梁工