新一代半導體激光器,利用3D光子晶體的拓撲結構,構造高Q 的半導體諧振腔,實現對激光芯片功率、線寬、調制速率、光束質量、發散角等特性的全面升級,同時綜合了EEL的生產便利性和VCSEL的封測便利性,成為性價比全面升級的新一代技術方案。
新一代半導體激光器,利用3D光子晶體的拓撲結構,構造高Q 的半導體諧振腔,實現對激光芯片功率、線寬、調制速率、光束質量、發散角等特性的全面升級,同時綜合了EEL的生產便利性和VCSEL的封測便利性,成為性價比全面升級的新一代技術方案。
*您想獲取產品的資料:
個人信息: