美國西特setra 225超高純壓力變送器
Setra 225的特性：
特性
·316 L VIM/VAR 不銹鋼
·表面拋光度 7 Ra
·setra GCT225有著VCR 接頭
·1×10-9 A..CC/sec 級別的氨滲漏實驗
·堅固耐用，安裝
·4-20mA 輸出型獲得不易燃認證，適用于潛在危險區域
·符合 CE 和 RoHS 標準要求
■ 泄露率低
■ VCR 接頭
■ 易于吹掃的小腔室
■200PSI/250PSI/3000PSI
美國西特setra 225超高純壓力變送器的介紹：
GCT-225 系列壓力變送器采用 Setra 可變電容技術，配有 VIM/ VAR 316L 不銹鋼隔膜和絕緣電極板。絕緣電極板與傳感器本地構成可變電容。當氣體壓力提升時，隔膜會變得略圓，使電容減小。傳感器將檢測到電容變化，并將其轉換為高精度的線性直流電信號。 Setra 定制集成電路采用電荷平衡原理制成，幾乎不受 EMI/RFI 干擾。在制造和裝配完成后， Setra 超高純壓力變送器還要接受去離子水沖洗、高純熱氮氣吹掃、烘干、雙層包裝、氮氣充注和密封等處理，較后才發貨。
注 ： Setra 的質量標準是根據 ANSI-Z540 制定的。該產品的標定具有 NIST 可追蹤性，美國號。
Setra GCT-225 系列超高純壓力變送器專門設計用于半導體工藝過程中的超高純氣體輸送系統以及要求超潔凈工作、高吞吐量和超高長期穩定性的控制應用。
GCT-225 系列采用可旋轉的外罩結構，用戶可方便地調節用于零點和量程微調的 12 圈電位計。標準的旋轉外螺紋 /內螺紋端面密封壓力接口可滿足半導體行業的要求。此外，
該系列產品還選用多種其他接口類型。 GCT-225 系列產品提供 5 VDC、 10 VDC 或 4-20 mA 三種輸出類型，可使用六英尺多芯電纜及卡口、 D-Sub 或 M12x1 接頭進行電氣
連接。
西特225壓力變送器的性能
性能參數 物理參數 電氣參數（電壓）
精度 RSS 1 ( 恒溫下） ±0.25%FS 殼體 不銹鋼 電路 3 線 (COM, OUT, EXC)
非線性（較好擬合直線） ±0.15%FS 電氣連接 6 英尺 /1.8 米多芯電纜， 4 針卡口接頭
輸出 4 0~ 5 VDC 或 0.2~ 5.2VDC5
遲滯 0.20%FS 0~ 10VDC 或 0.2~ 10.2VDC5
壓力接口 #4 外螺紋 / 內螺紋端面密封旋轉接頭，
西特setra 225的溫度影響 2 1/4"NPT 外螺紋接頭或管接頭 激勵 5V FSO 10V FSO（滿量程輸出）時為 （滿量程輸出）時為10~30 VDC 13~30 VDC
Setra 225的溫度補償范圍 -9~65℃ 通氣 通過外殼 輸出電阻 10Ω
零點 / 滿程漂移 1.8% (%FS/50℃） 內腔體積 0.11in3 暖機漂移 總誤差 ±0.1% FS
泄漏試驗：使用質譜儀進行 1 x 10-9 A..CC/sec 級別的氦滲
漏試驗 接液部件 VIM/VAR 316L 7Ra（較大 10 Ra 不銹鋼，電解拋光至 ） 功耗 0.03 W
壓力介質 重量 約 113g 電氣參數（電流）
與 316L 不銹鋼兼容的液體或氣體 環境參數 電路 2 線
西特GCT225的認證 工作溫度 3 -40℃ ~+85℃ 輸出 6 4~20mA 7
不易燃認證：適用于潛在危險區域的認證： 儲存溫度 -40℃ ~+85℃ 外部負載 0-800Ω
北美：可選 ETL 認證，適用于 ANSI/ISA-12.2.01-2011 標準
中列出的 1 類 2 區 A、 B、 C、 D 組危險區域（選擇 N1 選項）
西特GCT-225的電流輸出型
（訂購 N1 選項時） -30℃ ~+80℃ （工作 / 儲存溫度） 較小供電電壓 （VDC） 10+0.02x（接收器附加導線電阻）
歐洲：可選用于標準 EN60079-0:2012 的 ATEX 94/9/EC 2
區認證或 EN60079-15:2010 11 3G Ex nA IIC T4 Gc -30℃ <
Ta<+ 80℃認證（選擇 N1 選項）
較大供電電壓（VDC） 30+0.004x（接收器附加導線電阻）
功耗 <0.9 W
尺寸圖
1. 非線性、遲滯、非重復性的 RSS 值（方和根）。
2. 產品在 21℃進行標定，較大溫度影響誤差由此數據計算。
3. 電子元件的工作溫度限制，壓力介質的溫度可能明顯較高或較低。
4. 采用 50KΩ 負載進行標定，可在負載 ≥ 5KΩ 時工作。
5. 零點（滿量程）輸出 ：對于 5 VDC 電源，出廠設置在 ±25mV 以內 ；對于 10 VDC 電源，出廠設置在 ±50 mV 以內。
6. 出廠標定時采用 250Ω 負載， 24 VDC 電源。
7. 零點輸出的出廠設置在 ±0.08mA 以內，滿量程輸出的出廠設置在 ±0.16mA 以內
