施耐博格MRD55G2V3/MRW55DG2V3滑塊
SCHNEEBERGER施耐博格
MRA55G3V1 【MRW55AG3V1】MRA55G1V2【MRW55AG1V2】
MRA55G0V2【MRW55AG0V2】 MRA55G0V3 【MRW55AG0V3】
MRA55G1V3【MRW55AG1V3】 MRA55G2V2 【MRW55AG2V2】
MRA55G2V3【MRW55AG2V3】 MRA55G3V3 【MRW55AG3V3】
MRA65G0V1【MRW65AG0V1】 MRA65G1V1 【MRW65AG1V1】
MRA65G2V1【MRW65AG2V1】 MRA65G3V1【MRW65AG3V1】
MRA65G1V2【MRW65AG1V2】 MRA65G0V2【MRW65AG0V2】
MRA65G0V3【MRW65AG0V3】 MRA65G1V3【MRW65AG1V3】
MRA65G2V2 【MRW65AG2V2】MRA65G2V3【MRW65AG2V3】
MRA65G3V3 【MRW65AG3V3】MRB25G0V1 【MRW25BG0V1】
MRB25G1V1 【MRW25BG1V1】MRB25G2V1 【MRW25BG2V1】
MRB25G3V1 【MRW25BG3V1】MRB25G1V2【MRW25BG1V2】
MRB25G0V2【MRW25BG0V2】 MRB25G0V3 【MRW25BG0V3】
MRB25G1V3 【MRW25BG1V3】MRB25G2V2【MRW25BG2V2】
MRB25G2V3【MRW25BG2V3】 MRB25G3V3【MRW25BG3V3】
MRB35G0V1【MRW35BG0V1】 MRB35G1V1 【MRW35BG1V1】
MRB35G2V1【MRW35BG2V1】 MRB35G3V1【MRW35BG3V1】
MRB35G1V2【MRW35BG1V2】 MRB35G0V2 【MRW35BG0V2】
MRB35G0V3 【MRW35BG0V3】MRB35G1V3 【MRW35BG1V3】
MRB35G2V2【MRW35BG2V2】 MRB35G2V3【MRW35BG2V3】
MRB35G3V3【MRW35BG3V3】 MRB45G0V1 【MRW45BG0V1】
MRB45G1V1 【MRW45BG1V1】MRB45G2V1【MRW45BG2V1】
MRB45G3V1【MRW45BG3V1】 MRB45G1V2【MRW45BG1V2】
MRB45G0V2 【MRW45BG0V2】MRB45G0V3【MRW45BG0V3】
MRB45G1V3 【MRW45BG1V3】MRB45G2V2 【MRW45BG2V2】
MRB45G2V3【MRW45BG2V3】 MRB45G3V3【MRW45BG3V3】
MRB55G0V1【MRW55BG0V1】MRB55G1V1【MRW55BG1V1】
MRB55G2V1 【MRW55BG2V1】MRB55G3V1 【MRW55BG3V1】
MRB55G1V2 【MRW55BG1V2】MRB55G0V2【MRW55BG0V2】
MRB55G0V3 【MRW55BG0V3】MRB55G1V3【MRW55BG1V3】
MRB55G2V2 【MRW55BG2V2】MRB55G2V3 【MRW55BG2V3】
MRB55G3V3 【MRW55BG3V3】MRB65G0V1 【MRW65BG0V1】
MRB65G1V1【MRW65BG1V1】MRB65G2V1【MRW65BG2V1】
MRB65G3V1【MRW65BG3V1】 MRB65G1V2 【MRW65BG1V2】
MRB65G0V2 【MRW65BG0V2】MRB65G0V3【MRW65BG0V3】
MRB65G1V3 【MRW65BG1V3】MRB65G2V2【MRW65BG2V2】
MRB65G2V3 【MRW65BG2V3】MRB65G3V3 【MRW65BG3V3】
施耐博格MRD55G2V3/MRW55DG2V3滑塊
任何物質都是由原子構成的，原子是由原子核和電子構成的。電子以高速度繞原子核轉動，受到原子核吸引，因為受到一定的限制，所以電子只能在有限的軌道上運轉，不能任意離開，而各層軌道上的電子具有不同的能量(電子勢能)。離原子核最遠軌道上的電子，經常可以脫離原子核吸引，而在原子之間運動，叫自由電子（載流子的一種），使得材料可以導電。如果電子不能脫離軌道形成自由電子，則不能參加導電，叫絕緣體。半導體導電能力介于導體與絕緣體之間，叫半導體。半導體重要的特性是在一定數量的某種雜質滲入半導體之后，不但能大大加大導電能力，而且可以根據摻入雜質的種類和數量制造出不同性質、不同用途的半導體。將一種雜質摻入半導體后，會放出自由電子，這種半導體稱為N型（negative）半導體。
