三相橋式半控模塊(不帶續流二極管) | |||||||||||
型號 | 電氣特性Electrical Characteristics | 封裝外形 | |||||||||
| IdAV | VDRM | ITSM | VTO | rT | dv/dt | TVJM | RthJC | Package Style | ||
/VRRM | 45°C/10ms | per chip | |||||||||
A | °C | V | A | V | mΩ | V/μs | °C | K/W | |||
C3PHB70G08 | 70 | 85 | 800 | 550 | 0.85 | 11 | 1000 | 125 | 0.9 | ||
C3PHB70G12 | 1200 | ||||||||||
C3PHB70G14 | 1400 | ||||||||||
C3PHB70G16 | 1600 | ||||||||||
C3PHB70G18 | 1800 | ||||||||||
三相整流模塊 | |||||||||||
型號 | 電氣特性Electrical Characteristics | 封裝外形 | |||||||||
| IDAV | VR=VRRM | IFSM | VTO | rT | VFmax at IFM | RthJC | Package Style | |||
@TC=100°C | @45°C; 10ms | per chip | per chip | ||||||||
A | V | A | A | mΩ | V | A | K/W | ||||
C3PDB60N08 | 60 | 800 | 550 | 0.8 | 8 | 1.8 | 150 | 1.45 | |||
C3PDB60N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB60N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB60N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB60N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB70N08 | 70 | 800 | 550 | 0.8 | 8 | 1.7 | 150 | 1.45 | |||
C3PDB70N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB70N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB70N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB70N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB80N08 | 80 | 800 | 750 | 0.8 | 5 | 1.6 | 150 | 1.1 | |||
C3PDB80N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB80N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB80N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB80N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB85N08 | 85 | 800 | 750 | 0.8 | 6 | 1.6 | 150 | 1.3 | |||
C3PDB85N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB85N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB85N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB85N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB86N08 | 86 | 800 | 530 | 0.8 | 7.5 | 1.5 | 80 | 1.2 | |||
C3PDB86N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB86N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB86N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB86N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB100N08 | 100 | 800 | 920 | 0.8 | 4 | 1.9 | 300 | 0.9 | |||
C3PDB100N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB100N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB100N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB100N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB130N08 | 130 | 800 | 1200 | 0.8 | 4 | 1.9 | 300 | 0.9 | |||
C3PDB130N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB130N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB130N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB130N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB180N08 | 180 | 800 | 1800 | 0.8 | 3 | 1.65 | 300 | 0.65 | |||
C3PDB180N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB180N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB180N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB180N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB200N08 | 200 | 800 | 2240 | 0.8 | 2.2 | 1.43 | 300 | 0.45 | |||
C3PDB200N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB200N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB200N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB200N18 | 1800 | ||||||||||
C3PDB250N08 | 250 | 800 | 2800 | 0.8 | 2.2 | 1.43 | 300 | 0.45 | |||
C3PDB250N12 | 1200 | ||||||||||
C3PDB250N14 | 1400 | ||||||||||
C3PDB250N16 | 1600 | ||||||||||
C3PDB250N18 | 1800 |
武漢世佳偉業科訊電子技術有限公司位于國家火炬計劃武漢新材料產業基地,為湖北省*關注及扶持新材料創新企業之一。2013年被評為(第四屆)湖北省青年企業家系列評選企業;“瀚動江城”2012年武漢青年創業先鋒;2011年被評為武漢市“創業人物”武漢市*授予“2008-2010年武漢市全民創業示范企業”;公司始終站在商務區自動化技術發展的前沿,與企業建立良好的合作關系。公司應用*的產品和技術以及豐富的自動控制工程經驗,為用戶提供系統解決方案和提供從產品研發到系統總承包等各種方式的服務。
文化區 2008年公司研究機構“武漢索控節能技術設備研究所”所立,它將科技人才優勢成功轉化為企業的核心競爭力,成為在冶金、機械、化工、煙草、水電、汽車、紡織等工業領域里專業從學習區事工業電氣自動化、生產過程自動化、電氣傳動產品的研發、電氣工程設計、系統集成制造、人才培訓、技術服操作區務的高科技企業。2009年自主研發的“SJ-01A變頻節能控制柜”等項目列入硚口區科技型中小企業培育項目專項計劃等。
公司重視對人才的開發和使用,現有工程師,碩士、學士及大中專畢業生組成一支年輕的團隊。公司正處于高速發展中,歡迎各界有志之士的加盟。
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