使用超細微鉆石顆粒，兼顧高抗彎強度和外質吸雜效果
加工對象: Silicon wafer, etc
UltraPoligrind采用超細微鉆石磨粒，相比 Poligrind 可實現更低的研削損傷和更高的抗彎強度。此外， UltraPoligrind 在消除晶圓應力工藝的同時，仍可維持外質吸雜效果。由于是不使用化學物質的一般研削加工，既可減輕環境負荷，又能以簡便的操作實現薄片研削。
- 減少對晶圓的損傷，實現高抗彎強度
- 維持與一般研削相同的外質吸雜效果
實驗結果
晶圓損傷TEM比較
UltraPoligrind研削的晶圓損傷層比Poligrind研削的損傷層有大幅度地減少。
抗彎強度比較（球抗折）
外質吸雜效果
于研磨后的鏡面晶圓經強制污染后從反面析出的Cu濃度高于1.0E11的結果相比， 用UltraPoligrind 研削后的晶圓從反面析出的Cu濃度卻低于檢出下限值， 由此可知 UltraPoligrind 具有更好的外質吸雜效果。
Cu強制污染前后的TXRF測量結果（Φ8英寸鏡面晶圓）
為了定量測定外質吸雜效果， 將經過Cu強制污染的樣本以350 ℃加熱3小時后，使用TXRF（全反射式X光熒光光譜儀）進行分析。以 UltraPoligrind 的研磨晶圓為例， 研磨面經過Cu強制污染并擴散后，使用TXRF分析反面（鏡面）析出的Cu量。
※ 0.5E10 atoms/cm2以下為檢出極限。
技術規格
UltraPoligrind 的使用注意事項
為了獲得更好的加工品質，需要重新設定加工條件。為此本公司的應用技術工程師將會根據具體的加工物和加工要求，竭誠為客戶提供加工方案。
