實現不使用化學制劑應力釋放的Φ8英寸干式拋光機
- Φ200 mm
- 1 axis, 1 chuck table
- Wafer Thinning
- Stress Releaf
提高薄型晶圓的良品率
DFP8140是*不使用研磨液(Slurry)就可以去除晶圓背面損傷層（應力釋放， Stress Relief ），可對應Φ8英寸晶圓的干式拋光的設備。即能夠防止圓晶碎裂及翹曲，增加芯片的抗彎強度，提高良品率，又能夠減少環境負荷。
可與現有的研削機聯機(In-Line)運行
DFP8140可與現有的研削機整合聯機（可現場改裝），利用與DFG8540的聯機功能（特殊選配），可以安全地進行晶圓搬送。
降低環境負荷
因為是干式拋光加工，所以沒有處理濕式蝕刻或CMP加工時所需的化學藥品的程序。既降低了環境負荷，又有助于減少用戶的運行成本。
操作簡便
配置了觸摸式液晶顯示器及GUI （Graphical User Interface），提高了操作便利性。控制畫面可同步顯示加工狀況和設備狀態，操作人員只要觸摸控制畫面上的按鈕，就可以簡單地完成操作。更便利于日常設備操作和維修保養時的操作。
Specifications
| Specification | Unit | DFP8140 | |
|---|---|---|---|
| Wafer Diameter | - | Φ4/5/6/8 inch(Select one size) | |
| Polishing Method | - | Anomalous In-feed grinding with wafer rotation | |
| Wheel | - | Φ300 mm Dry Polishing Wheel | |
| Chuck table type | - | Porous chuck table | |
| Chuck-method | - | Vacuum | |
| Number of revolutions | min‐1 | 0 ～ 300 | |
| Chuck table cleaning | - | Water & air thrust up, Leveling stone and brush cleaning | |
| Spindle | Output | kW | 4.8 | Revolution speed range | min‐1 | 1,000 ～ 4,000 |
| Internal load sensor | - | Thin force sensor | |
| Spinner unit | - | Wafer washing and drying by atomizing nozzle | |
| Machine dimensions (W×D×H) | mm | 1,200 × 2,670 × 1,800 | |
| Machine weight | kg | Approx.1,900 | |
※為了改善，機器的外觀，特征，規格等本公司可能在未預先通知用戶的情況下實施變更。
※使用時，請先確認標準規格書。
Product Lineup
| Machine type |
| Spindle |
| C/T |
| Machine dimentions（W × D × H） |
| Machine weight（kg） |
| DFP8141 | DFP8160 | DGP8761 |
| 全自動 | 全自動 | 全自動 |
| 1 | 1 | 3 |
| 2 | 1 | 4 |
| 900 × 2,584 × 2,000 | 1,400 × 3,322 × 1,800 | 1,690 × 3,315 × 1,800 |
| 3,100 | 2,400 | 6,700 |
