四探針電阻率測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響。
四探針電阻率測試儀按照硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）及標準設計制造該儀器設計符合
GB/T 1551-2009《硅單晶電阻率測定方法》、
GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、
GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準，本機配置232電腦接口及USB兩種接口，本機結合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結果的影響及誤差，比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進步,特別是方塊電阻值較小的產品測量，更加準確.
規(guī)格型號 | 300c |
1.電阻 | 10-7～2×107Ω |
2.電阻率范圍 | 10-8～2×108Ω-cm |
3.電導率 | 5×10-8～108s/cm |
4.測試電流范圍 | 1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA |
5.測量電壓量程 | 測量電壓量程：2mV 20mV 200mV 2V 測量精度:±（0.1%讀數） 分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV |
6.電流精度 | ±0.1%讀數 |
7.電阻精度 | ≤0.3% |
8.顯示讀數 | 液晶顯示：電阻值、電阻率、電導率值、溫度、單位自動換算、橫截面、高度、電流、電壓等 |
9.測試方式 | 四端測量法 |
10.測量裝置（治具） | 選購 1.標準方體和圓柱體測量裝置：測試行程：L70mm*W：60mm 2.定制治具 |
11.工作電源 | AC 220V±10%.50Hz功 耗 lt;30WH |
12. 主機外形尺寸 | 約330mm*350mm*120mm |
13.凈重量 | 約6kgNet |
14.標配外選購 | 1.標準校準電阻1-5個；2.PC軟件一套；3.電腦和打印機依據客戶要求配置；4.計量證書1份 |
本儀器采用四探針單電測量法適用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。
液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。
采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結構合理、質量輕便，運輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成報表；
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.
廣泛用于：
覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試
硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻 半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率 導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等
