一. 硅晶片磨床結構特點及性能
1.機床總體采用雙主軸三工位布局，磨削系統由轉臺單元、相磨單元和精窘單元組成;
2.轉臺結構單元采用“氣浮轉動-真空固定”的方式;
3.磨削主軸系統由砂輪主軸、主軸座、立柱、磨削力在線測量裝置等組成;主軸座兩側的低摩擦氣缸用于平衡主軸部分的重力，增加進給系統的運動靈活性;
4.砂輪主軸和工作臺主軸均采用空氣靜*承的電主軸。具有回精度轉高且振動小的特點有利于提高生產率,降低晶片的表面粗糙度;

5.微量進給系統由伺服電機驅動滾珠絲杠帶動渺輪主軸部件進行磨削進給運動;系統具有0.1μn的運動分辨率，能實現低進給速度0.1μn/s,具有較好的響應速度;
6.機床具有片自動對刀和厚度在線測量系統;
7.機床砂輪主軸與工件主軸之間角度有微調整裝置，從而保證硅片的面型;
8."硅片采用高精度高可靠性夾持定位與輸送技術，具有可靠的自動定心機構;硅片輸送采用四自由度R- 8型關節機械人，實現晶片在各工位間的自動轉換:
9.機床具有硅片自動清洗、干燥和吸盤自動清洗功能，完成晶片的干進干出式磨削;
二、硅晶片磨床技術規格與參數
砂輪直徑: 300m
晶片傳送:機械手
晶片夾持:真空吸附
砂輪主軸數量: 2
工作臺數量: S
工作臺清洗:自動
工作臺驅動:電主軸
小進給量: 0. 1μm
測厚精度: 0.1μm
砂輪轉速: 0~7000r/nin
工作臺轉速: 0~-300r/min
機床總功率: 25KV
砂輪功率: 6. 5KW
工作臺主軸功率: 0. 5EKW
機床外形尺寸: 4196x1400x2111 .
機床凈重: 3500KE
二、工作精度
總厚度變化(TTV) : TTv≤3μn
硅片全局平整度(CBIR) :GBIR≤0.2μm
硅片局部平整度(SFQR):
SPQR≤0. 2un
片間厚度變化:≤3μm
精磨表面粗糙度: Ra≤10mn (使用:3000砂輪磨削時)