設(shè)備運(yùn)行管理的意義和內(nèi)容： 是現(xiàn)代化生產(chǎn)的物質(zhì)技術(shù)基礎(chǔ)。污水處理廠生產(chǎn)能否順利進(jìn)行，主要取決于機(jī)器設(shè)備的完善程度。
污水處理廠有大量的處理工藝設(shè)施(或構(gòu)筑物)和輔助生產(chǎn)設(shè)施。生產(chǎn)工藝設(shè)備如格柵攔污機(jī)、泵類、攪拌器、風(fēng)機(jī)、投藥設(shè)備、污泥濃縮機(jī)脫水機(jī)、混合攪拌設(shè)備、空氣擴(kuò)散裝置、電動(dòng)閥門等。這些工藝設(shè)備的故障將影響污水廠的運(yùn)行或造成全廠的停運(yùn)。    
污水處理廠設(shè)備的運(yùn)行管理，是指對生產(chǎn)全過程中的設(shè)備管理，即從選用、安裝、運(yùn)行、維修直至報(bào)廢的全過程的管理。因此，設(shè)備運(yùn)行管理的內(nèi)容可歸納為以下幾個(gè)主要方面。
①合理選用、安全使用設(shè)備。例如選配技術(shù)*、節(jié)能降耗的設(shè)備，根據(jù)設(shè)備的性能安排其適當(dāng)?shù)纳a(chǎn)任務(wù)和負(fù)荷量，為設(shè)備創(chuàng)造良好的工作環(huán)境條件；安排具有一定技術(shù)水平和熟練程度的設(shè)備操作者。②做好設(shè)備的保養(yǎng)和檢修工作。③根據(jù)需要和可能，有計(jì)劃地進(jìn)行設(shè)備更新改造。④搞好設(shè)備驗(yàn)收、登記、保管，報(bào)廢的工作。⑤建立設(shè)備管理檔案。⑥做好設(shè)備事故的處理。二次線路安裝：
① 施工前安排有工作經(jīng)驗(yàn)的熟練工，熟悉有關(guān)規(guī)范和二次圖，包括原理圖、端子排列圖、安裝接線圖。② 控制電纜引入盤、柜、箱應(yīng)排列整齊，避免交叉，電纜頭固定應(yīng)*，用花瓶或頭套包扎嚴(yán)密，防止潮氣侵入線芯，且固定牢固。不同電壓回路的線路，應(yīng)分別成束分開排列。
③ 異形管、電纜掛牌擬用編號(hào)機(jī)打印，再進(jìn)行熱加工，做到正確、清晰，不易脫色，且應(yīng)排列整齊。④ 二次線路進(jìn)盤、柜的線槽前，宜用綁扎帶固定，要求線路排列有序、整齊。⑤ 二次線路接線應(yīng)牢固，端子處接線余度*，做到端子排不受應(yīng)力作用，整體整齊美觀。每個(gè)接線柱接線不得超過二根，且二根線間應(yīng)有墊片。
高、低壓配電柜（盤）安裝⑴ 基礎(chǔ)槽鋼的安裝要平直，其水平度、不直度要控制在規(guī)范要求內(nèi)，接地應(yīng)明顯可靠。
⑵ 盤柜等在搬運(yùn)和安裝時(shí)應(yīng)采取防震、防翻倒、防潮、防止框架變形和漆面受損等措施。充有SF6氣體的真空斷路器柜在運(yùn)輸和裝卸過程中不得倒置，必要時(shí)可將裝置性設(shè)備和易損元件拆下單獨(dú)包裝運(yùn)輸，當(dāng)產(chǎn)品有特殊要求時(shí)，尚應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)文件的規(guī)定裝運(yùn)。⑶ 盤柜到達(dá)現(xiàn)場后，在規(guī)定期限內(nèi)會(huì)同甲方共同作驗(yàn)收檢查，并應(yīng)符合下列要求：① 開箱檢查前包裝應(yīng)無殘損。② 絕緣件應(yīng)無變形、受潮、裂紋和剝落。③ 柜內(nèi)的零件、設(shè)備及工具應(yīng)齊全，無損傷和銹蝕變形。
④ 柜內(nèi)元器件及二次線完整無損傷。⑤ 充有SF6氣體的部件，壓力表的指示值應(yīng)符合產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)定。⑥ 出廠及技術(shù)資料應(yīng)齊全。
⑷ 開關(guān)柜到達(dá)現(xiàn)場后的保管應(yīng)符合下列要求：
① 暫時(shí)不能安裝就位時(shí)，應(yīng)按原包裝放置于平整、無積水、無腐蝕的場所，在室外應(yīng)墊上枕木，并應(yīng)有防雨水，防小動(dòng)物進(jìn)入柜內(nèi)等措施。② 充有SF6硫的斷路器，應(yīng)定期檢查其預(yù)充壓力值，并做好記錄，有異常時(shí)應(yīng)及時(shí)采取措施。
⑸ 盤柜安裝前建筑工程應(yīng)具備下列條件：
① 層頂樓板施工完畢，不得滲漏。② 結(jié)束室內(nèi)地面工作，室內(nèi)溝道無積水、雜物。③ 預(yù)埋件及預(yù)留孔符合施工圖要求，預(yù)埋件應(yīng)牢固。④ 門窗安裝完畢。
⑹ 盤柜就位、找正、固定后，大允許偏差為：垂直度＜1.5‰。水平度：相鄰兩盤盤頂＜2mm，成排柜頂部＜5mm。盤面不平度：相鄰盤邊＜1mm，成列盤面＜5mm，盤間接縫＜2mm。
⑺ 配電盤、開關(guān)柜安裝，宜采用螺栓固定，也允許用焊接方法固定。
⑻ 設(shè)備安裝用的緊固件，應(yīng)用鍍鋅制品，并宜采用標(biāo)準(zhǔn)件。⑼ 盤柜安裝完成后，應(yīng)符合下列要求：① 漆層完整無損，絕緣子無損傷，所有連接螺栓應(yīng)緊固。② 機(jī)械閉鎖、電氣閉鎖應(yīng)動(dòng)作準(zhǔn)確、可靠。③ 動(dòng)、靜觸頭的中心線應(yīng)*，觸頭接觸應(yīng)緊密。④ 抽屜推拉應(yīng)靈活輕便，無卡阻、碰撞現(xiàn)象，備用抽屜應(yīng)能互換。⑤ 二次回路連接插件接觸良好，控制回路輔助開關(guān)的切換點(diǎn)應(yīng)動(dòng)作準(zhǔn)確。⑥ 柜內(nèi)照明、加熱器齊全完好。
1、A/O工藝原理：厭氧-好氧活性污泥法(Anoxic/Oxic，簡稱A/O)是由厭氧和好氧兩部分反應(yīng)組成的污水生物處理工藝。污水進(jìn)入?yún)捬醭睾?，與回流污泥混合。活性污泥中的聚磷菌在這一過程中大量吸收污水中的BOD，并將污泥中的磷以正磷酸鹽的形式釋放到混合液中。混合液進(jìn)入好氧池后，有機(jī)物被氧化分解，同時(shí)聚磷菌大量吸收混合液中的正磷酸鹽到污泥中。由于聚磷菌在好氧條件下吸收的磷多于厭氧條件下釋放的磷，因此，污水經(jīng)過“厭氧-好氧”的交替作用和二沉池的污泥分離作用，終達(dá)到除磷的目的。
2、工藝流程說明：如下圖1可知，生活污水經(jīng)格柵進(jìn)入調(diào)節(jié)池后，由污水泵抽送至*生物處理池(兼氧池)，兼氧池內(nèi)掛有彈性填料，通過吸附在填料上的兼氧細(xì)菌的吸附水解作用，使污水中對生物細(xì)菌有抑制作用和難以生物降解的有機(jī)物水解，大分子的有機(jī)物水解為小分子的有機(jī)物，并對固體有機(jī)物進(jìn)行降解，減少了污泥量，降低污水中懸浮固體的含量，并利用污水中的有機(jī)物作為碳源，使從后級(jí)好氧段回流的硝化液中的硝酸鹽氮和亞硝酸鹽氮在兼氧脫氮菌的作用下形成氣態(tài)氮從污水中逸出，達(dá)到脫氮的目的，從而降解污水中有機(jī)污染物，提高污水的生化可降解性，并去除污水中的氨氮和懸浮物。兼氧池出水進(jìn)入O級(jí)好氧接觸氧化池，好氧池內(nèi)好氧微生物在水體中有充足溶解氧的情況下，利用污水中的可溶性污染物進(jìn)行新陳代謝，從而達(dá)到去除污水中可溶解性污染物的目的。好氧池出水自流入二沉池，污水中大部分懸浮物能在此得以有效去除。二沉池出水自流入中間水池貯存，再由中間水泵提升到砂過濾器去除水中膠體、顆粒、懸浮雜質(zhì)，確保出水達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)后，消毒排放。經(jīng)格柵處攔截的柵渣定期清理外運(yùn)，二沉池中的污泥部分回流至*生物處理池，另一部分污泥至污泥池使污泥進(jìn)行好氧穩(wěn)定消化，減少污泥體積和臭氣排放，消化池上清液溢流回到調(diào)節(jié)池進(jìn)行循環(huán)處理。剩余污泥定期抽送出設(shè)備罐體外運(yùn)處置。
在廢水中，重金屬大部分以離子的形式存在，一部分以絡(luò)合離子形式存在。以絡(luò)合離子形式存在，來源主要是化學(xué)沉銅工序及堿性蝕刻工序和工序。廢水中有機(jī)污染物，主要是有機(jī)高分子化合物，來源主要是干濕膜工序另外還有一些低分子有機(jī)物，如甲醛、酒石酸等來源主要是化學(xué)沉銅和板面電鍍工序。它們構(gòu)成廢水中COD來源，不同PCB廠，其廢水廢液污染物成分及濃度會(huì)有所不同。污水和混合液（包括回流污泥）在溝內(nèi)進(jìn)行連續(xù)循環(huán)幾十圈才能流出溝外。這種溝型結(jié)構(gòu)，具備了推流式和*混合式的雙重特點(diǎn)。在設(shè)計(jì)過程中本著*、合理、實(shí)用、可靠、經(jīng)濟(jì)的原則進(jìn)行設(shè)計(jì)，采用*、實(shí)用、成熟、可靠的處理工藝，滿足水質(zhì)波動(dòng)較大、水量不穩(wěn)的進(jìn)水要求，確保污水處理達(dá)標(biāo)排放。采用合理工藝，合理布置，在提高系統(tǒng)總體效率的基礎(chǔ)上恰到好處的對污水處理工藝進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)；盡量降低工程造價(jià)，在保證系統(tǒng)安全、經(jīng)濟(jì)、穩(wěn)定運(yùn)行的前提下，以更小的投資達(dá)到良好的處理效果。采用運(yùn)行費(fèi)用較為合理的處理工藝，提高污水的處理效果的同時(shí)，減少設(shè)備投資費(fèi)用。降低運(yùn)行費(fèi)用和降低投資費(fèi)用，給業(yè)主帶來更優(yōu)的經(jīng)濟(jì)效益。采用*可靠的技術(shù)設(shè)備及自動(dòng)控制系統(tǒng)，在污水處理過程中充分實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化優(yōu)化控制、減少管理維修工作量的主要設(shè)施與設(shè)備平面及高程的針對性工程設(shè)計(jì)，操作管理方便可靠。設(shè)計(jì)中盡量采用低噪節(jié)能的動(dòng)力設(shè)備，并采取減震，降噪等措施，以防止噪聲污染。污水處理工程整體環(huán)境與周圍環(huán)境相協(xié)調(diào)；在工程占地面積小的情況下，采用合理的布局，對處理工藝進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。  效果如出水濁度、泥面高度、沉淀的懸浮物狀態(tài)、水面浮泥或浮渣情況等，檢查各管道附件、排泥刮渣裝置是否正常，各堰出流是否均勻，堰口是否嚴(yán)重堵塞，清理出水堰及出水槽內(nèi)截留雜物及漂浮物。b.根據(jù)污泥產(chǎn)量及貯泥時(shí)間及時(shí)排出污泥，一般存泥時(shí)間為2～4小時(shí)。利用閥門控制回流污泥量，剩余污泥打入污泥濃縮池，控制好回流污泥與凈排污泥的比例。沉淀池污泥排放量可根據(jù)污泥沉降比、混合液污泥濃度及二次沉淀池泥面高度確定。c.觀察沉淀池出水水質(zhì)，不允許沉淀池有污泥漂浮現(xiàn)象。d.沉淀池上清液的厚度一般為0.5～0.7米左右。地埋
泥消化池的好氧消化處理等。 電器控制說明污水處理設(shè)備自進(jìn)水至出水采用PLC全自動(dòng)控制。具體控制內(nèi)容如下： (1)污水調(diào)節(jié)池設(shè)置液位控制裝置，高液位自動(dòng)運(yùn)行；低液位停泵。 (2)風(fēng)機(jī)采用交替運(yùn)行，不間斷供氣。兩臺(tái)風(fēng)機(jī)可按要求設(shè)定自動(dòng)切換間隔時(shí)間。 (3)污水處理站建議采用雙電源供電。處理工藝主要機(jī)泵均交替使用，互用互備，以達(dá)到保證正常運(yùn)行的目的
 處理工藝：本工程擬采用調(diào)節(jié)池—一體化污水處理設(shè)備—過濾—消毒工藝流程 污水經(jīng)格柵截留大顆粒污物后流入調(diào)節(jié)池，采用調(diào)節(jié)池以均衡水質(zhì)水量，調(diào)節(jié)池后部設(shè)缺氧池，好氧處理采用兩級(jí)生物接觸氧化。生物接觸氧化是處理流程中重要部分，大量有機(jī)物在這里被細(xì)菌好氧降解。采用多級(jí)分段式接觸氧化，形成逐級(jí)負(fù)荷遞減系統(tǒng)，使接觸氧化在去除率、抗沖擊負(fù)荷、出水水質(zhì)等方面更具大優(yōu)勢和可靠性。 工藝流程：為了達(dá)到排放要求，處理工藝采用以生化處理A/O法為主處理的二級(jí)處理法A/O工藝，即缺氧—好氧污水處理工藝，該工藝具有適應(yīng)能力強(qiáng)，耐沖擊負(fù)荷，高容積負(fù)荷，不產(chǎn)生污泥膨脹，排泥量少，脫氮效果較好等特點(diǎn)，特別適合于中小型污水處理站選用。A/0工藝由缺氧池和好氧池串聯(lián)而成，在去除有機(jī)物的同時(shí)可以取得良好的脫氮效果。該工藝的顯著特點(diǎn)是將脫氮池設(shè)置在除碳過程的前部，即：先將污水引入缺氧池，回流污泥中反硝化菌利用原污水中的有機(jī)物作為碳源，將回流混合液中的大量硝態(tài)氮（NO—x-N）還原成N：，從而達(dá)到脫氮的目的；污水接著進(jìn)入好氧池，大部分有機(jī)物在此得到消化降解，好氧池后設(shè)置二沉池，部分沉淀污泥回流至缺氧池，以提供充足的微生物，同時(shí)將好氧池內(nèi)混合液回流至缺氧池，以保證缺氧池有足夠硝酸鹽。缺氧池缺氧池一般采用上流式污泥床反應(yīng)器的形式，設(shè)計(jì)水力停留時(shí)間為2—4小時(shí)，池底為污泥床，污泥床厚度通?？刂圃趌一1．2m之間，進(jìn)水系統(tǒng)可采用脈沖進(jìn)水中阻力布水系統(tǒng)，底部設(shè)布水管，運(yùn)行時(shí)污泥呈懸浮狀態(tài)。污泥床平均濃度為30—359／L，污泥負(fù)荷為O．30—0．35kgBOD，（kgMLSs·d），污水中DO濃度小于0．2m‖Lo好氧池1基本原理好氧池是利用污水中的好氧微生物在有游離氧（分子氧）存在的條件下，消化、降解污水中的有機(jī)物，使其穩(wěn)定化、無害化的處理裝置。好氧池一般為接觸氧化池的形成。